株式会社ブリヂストン（社長　荒川 詔四）は、次世代パワー半導体用途として、口径5インチの高品質SiCウエハ（基板）の開発に成功しました。

　SiCウエハは、従来の基板材料であるシリコンウエハに比べ耐久性が高く、高温にも耐えうる優れた特性をもっており、今後は、自動車やエネルギー分野など、幅広い活用が見込まれます。

　当社のSiCウエハは、独自の高純度粉体原料と最終製品まで一貫したクリーン製造プロセス技術を特徴としますが、今回新たなシミュレーション技術と温度制御技術を採用することで、高品質と口径拡大の両立に成功しました。

　今回開発に成功した口径5インチのSiCウエハは、量産ウエハレベルの高い結晶品質を確保しており、次世代パワー半導体用途としての活用が期待出来るものと考えています。

　当社は、市場からのニーズがより高い口径6インチ品についての開発も行っており、2012年下期の製品化を目指して参ります。

　なお、当社は、2011年9月11日から米国で開催される「ICSCRM 2011（International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011）」において、今回開発に成功した5インチのSiCウエハを出展致します。